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    氘氣D2-光纖氘處理過(guò)程

    2011-11-4 9:33:02

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      光纖在拉制過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一些無(wú)序的Si-O自由基團(tuán)，極易和H生成Si - OH，造成1385nm處的水峰增加。因此各種全波光纖拉完絲后都要經(jīng)過(guò)氘處理，才能夠經(jīng)受得住長(zhǎng)時(shí)間的含氫環(huán)境的侵蝕。
     
      氘處理的原理是讓氘和Si-O自由基團(tuán)形成Si-OD，吸收峰在1850nm，這樣在光纖的整個(gè)壽命期間，氫就無(wú)法取代氘的位置。氘和Si-0自由基團(tuán)的反應(yīng)如下：
     
                                              Si-O + D2 → Si-OD
     
      按照ITU-T G.652C/D的要求，光纖在經(jīng)過(guò)氫老化后光纖的1383±3nm處的衰減系數(shù)要不低于1310nm處的衰減，才能稱(chēng)作全波光纖。
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